Почему чипы GaN так важны в глушилках?

Важность чипов GaN в устройствах помех отражается в следующих аспектах:

- Высокая мощность: GaN имеет широкую запрещенную зону 3,4 эВ, а его поле пробоя в 20 раз выше, чем у других ВЧ-полупроводниковых технологий. Это позволяет усилителям мощности на основе GaN обрабатывать сигналы высокого напряжения и сильного тока, что приводит к получению высокой выходной радиочастотной мощности. Например, в оборудовании, защищающем от RCIED, требуются мощные сигналы помех, чтобы нарушить сигналы беспроводного запуска, и чипы GaN могут удовлетворить это требование и эффективно мешать нормальной работе приемников RCIED. Кроме того, в глушилках против БПЛА требуется высокая выходная мощность для подавления сигналов связи дронов в определенном диапазоне, а необходимую мощность могут обеспечить чипы GaN.

- Высокая частотная характеристика: чипы GaN имеют превосходные высокочастотные характеристики и могут работать в широком диапазоне частот. Глушителям обычно необходимо охватывать несколько частот, чтобы справиться с различными типами целевых сигналов. Например, некоторым глушителям приходится работать в диапазоне частот 4000–8000 МГц, чтобы создавать помехи сигналам дронов. Усилители на основе GaN могут обеспечить высокий коэффициент усиления и высокую эффективность усиления в таком высокочастотном диапазоне, быстро адаптироваться к изменениям различных частот сигнала и методов модуляции, а также обеспечить помехи в реальном времени.

- Высокая эффективность: чипы GaN имеют высокую подвижность электронов, что позволяет снизить сопротивление включения и увеличить скорость переключения, тем самым снижая потери мощности во время работы, улучшая эффективность преобразования и уменьшая выделение тепла. Например, в 50-ваттном модуле помех на основе GaN-чипа КПД может достигать 45% и даже выше. Высокий КПД не только способствует экономии электроэнергии, но и позволяет глушителю стабильно работать в течение длительного времени, снижает требования к системе электропитания глушителя и системе отвода тепла, что способствует миниатюризации и портативности оборудования.

- Хорошая теплопроводность: GaN обладает хорошей теплопроводностью, что способствует рассеиванию тепла, образующегося при работе чипа. Во время работы с высокой мощностью тепло, выделяемое чипом, может быть быстро передано наружу через структуру рассеивания тепла, что позволяет избежать проблемы снижения производительности или даже повреждения чипа из-за перегрева. Например, керамический корпус трубки, используемый в модуле помех на основе GaN-чипа, может значительно улучшить эффект рассеивания тепла и гарантировать стабильную работу модуля в суровых условиях окружающей среды.

Модуль усилителя мощности GAN 50 Вт с защитой круга

- Сильная защита от помех: чипы GaN обладают сильной защитой от помех и могут сохранять стабильную работу в сложных электромагнитных условиях. Глушителям часто приходится работать в среде, наполненной различными помехами. Превосходная антиинтерференционная способность чипов GaN может гарантировать, что глушители могут точно генерировать сигналы помех и эффективно создавать помехи целевым сигналам, не подвергаясь влиянию других сигналов помех.